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电子商情

产品咨询

充放电电流可调的锂电保护

XBL60152-ADJ特点：1，静态工作电流; 0.5uA，MAX=0.8uA2，关机电流：1nA3,充电过流：可调（默认是放电电流2倍）4，放电过流：可调（最低30mA，默认最大0.15A，中测可调最大默认值，最大不大于0.5A）5，过充电压：4.275±25mV（过充电压可调整，每次步进10mV，最大值...　2013-08-21

带船运模式的锂电保护芯片

XBL6015-SM特点：1，静态工作电流; 0.5uA，MAX=0.8uA2，关机电流：1nA3,充电过流：0.23A-0.37A（典型值0.3A）4，放电过流：0.115A-0.185A（典型值0.15A）5，过充电压：4.275±25mV（过充电压可调整，每次步进10mV，最大值4.6v，支持4.2V-...　2013-08-21

深方达科技郑重承诺

我司郑重承诺： 1、我司销售的产品均为原装正品，假一罚十，可追溯。 2、我司所销售的蓝牙充电仓芯片、移动电源芯片、锂电保护芯片均可提供原厂技术支持。 3、我司所销售品牌均为原厂一级代理，合作时可提供代理资质。 4、我司可以提供蓝牙充电仓、移动电源（含快充）等全套方案以及技术服务，亦可根据客户需求代开发。　2013-08-21

公司更换域名通知

为配合国家工业和信息化部域名必须实名制以及域名需进行ICP备案的政策，原深圳市深方达科技有限公司的域名：http://sfdes.com 正式变更为 http://shenfonda.com ，客户可直接在搜索引擎上输入新的域名进入公司主页查询公司产品及资料。原域名目前还可以正常使用，电子邮箱目前亦不变。　2013-08-21

致合作伙伴

尊敬的合作伙伴：我司因定于2014年1月24日-2014年2月7日放年假，故若有非常规物料需要订货，请于2014年1月10前给到我司forcast，常规物料的订单请于2014年1月15日前传真给我司，我司好安排备货、报关以及物流。1月15日以后的订单，交期将延至节后。期间若有给...　2013-08-21

关于公司更换网站的通知

尊敬的合作伙伴、公司业务精英：因公司经销品牌线增多以及优势型号增多，所以我司研究决定将原有网站做成可以自行修改关键词的网站，这样更便于您更加全面和快速的了解公司产品以及优势型号，进一步为您“省时、省力、省心、省钱”。新网站（域名不变）将于2014年1月1日启用，在接下来的时间里将继续完善。若由此...　2013-08-21

Diodes以1.51亿美元收购BCD

日前美国半导体元件厂商Diodes Incorporated（以下简称“Diodes”）宣布以1.51亿美元收购中国半导体制造商BCD，现金支付。上周四（12月27日），Diodes股价在纳斯达克常规交易中上涨0.23美元，报收于17.14美元，涨幅为1.36%，盘中曾触...　2013-08-21

英飞凌30亿美元现金并购国际整流器公司(IR)

德国芯片制造商英飞凌（Infineon）周三宣布，已经同意以30亿美元现金并购美国国际整流器公司（International Rectifier），这也是英飞凌迄今最大规模的并购行动。美国国际整流器公司总部位于美国加州，主要为电脑、器械、汽车、照明以及飞机等生产所需动力管理电路。而英飞凌主要生产激活汽车气囊、...　2013-08-21

三星和SK海力士的3D NAND之路

三星和SK海力士这两个全球最大的存储器厂商在8月份的加州圣克拉拉快闪存储器峰会上发布了他们的3D NAND创新成果。三星表示该公司名为V-NAND的3D快闪存储器产品已经在第二季度开始商用化生产。其终端产品将会是480千兆字节以及960千兆字节的V-NAND固态硬盘，初期目标是企业市场...　2013-08-21

NAND Flash迈入3D时代，2016年席卷半壁江山

随着传统的半导体制造技术在NAND flash领域即将达到极限，存储器芯片厂商纷纷开始采用3D生产技术以提高产能。根据IHS的报告显示，到2017年，全球近三分之二（65.2%）的快闪存储器芯片将采用3D技术，而在2013年这一比例仅为1%。2014年采用3D技术的快闪存储器芯片比例将...　2013-08-21

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